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Q: Quantenoptik
Q 22: Poster IIa: Laser und ihre Anwendungen
Q 22.24: Poster
Dienstag, 4. März 1997, 18:00–20:00, Phil. Fak.
Fs–laserinduzierte Ablation an Oberflächen — •J. Bialkowski, K. Sokolowski-Tinten und D. von der Linde — Inst. f. Laser– u. Plasmaphysik, Universität–GHS–Essen
Bei der Bestrahlung von einkristallinen Halbleitern und Metallfilmen
mit intensiven fs–Laserimpulsen
(F≈ 1J/cm2, I≈1013W/cm2) treten an deren
Oberflächen irreversible Veränderungen auf.
Zur Identifikation der zugrundeliegenden Prozesse haben wir orts– und
zeitaufgelöste Reflexionsexperimente durchgeführt.
In einer Anrege–Abfrage Anordnung wurde mit Hilfe eines
rechnergesteuerten CCD–Kamerasystems die Entwicklung des bestrahlten
Oberflächenbereichs bis 75 ns nach der Materialanregung direkt
beobachtet.
Dabei ist nach einigen Pikosekunden auf allen Proben ab einer
bestimmten Flächenenergiedichte ein starker Reflexionsrückgang
beobachtbar, der nach etwa 100 ps in eine ausgeprägte Ringstruktur
übergeht, die je nach Probe bis zu einigen 10 ns beobachtbar ist.
Dieses Phänomen läßt sich durch Dünnschichtinterferenz
an einer sich ausbreitenden scharfen Ablationsfront erklären.
Dabei muß sich das abgedampfte Material in einem
dielektrischem Zustand mit den optischen Konstanten n≥2,
k≈0 befinden.
Unsere Experimente zeigen den mit der Ablation verknüpften
Metall–Isolator Übergang.