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T: Teilchenphysik
T 106: Halbleiterdetektoren I
T 106.4: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 17:40–17:55, 223
Simulation von Oberflächenschäden bei Pixeldetektoren — •Sebastian Küstermann1, Claus Gößling1, Tilman Rohe2, Andreas Rolf1 und Renate Wunstorf1 — 1Universität Dortmund, Otto Hahn Straße 4, D-44227 Dortmund — 2MPI Halbleiterlabor, München
In zukünftigen Hochenergieexperimenten, z.B. ATLAS und CMS am LHC, werden Siliziumdetektoren als hochauflösende Spurdetektoren sehr nahe am Wechselwirkungspunkt eingesetzt werden. Dort sind sie einer sehr hohen Strahlenbelastung ausgesetzt, die zu Bulk- und Oberflächenschäden führt. Um trotzdem weiterhin einen einwandfreien Betrieb und gute Signalerkennung zu gewährleisten, soll das Layout der Detektoren in dieser Hinsicht optimiert werden. Hierzu ist eine gute Kenntnis der im Silizium entstehenden Schäden und deren Auswirkungen auf die Detektoreigenschaften nötig. Das Detektorlayout beeinflusst die während der Bestrahlung entstehenden Oberflächenschäden und deren Einfluss auf die Detektoreigenschaften. Um zeitaufwändige Iterationen der Produktion und deren Evaluation zu verringern, wurde die Oberflächenschädigung in die Simulation integriert und deren Ergebnisse mit Experimenten verglichen. Die Berücksichtigung von Strahlenschäden in der Simulation wurde für Pixeldetektoren durchgeführt, um Vorhersagen für Detektoreigenschaften und Vorschläge für Designoptimierungen machen zu können.