München 1997 – scientific programme
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T: Teilchenphysik
T 206: Halbleiterdetektoren II
T 206.2: Talk
Wednesday, March 19, 1997, 14:25–14:40, 223
Messung v. Pixelstrukturparametern und deren Veränderung durch Strahlenschäden — •Jens Wüstenfeld1, Christian Becker1, Claus Gößling1, Fabian Hügging1, Sebastian Küstermann1, Peter Mättig2 und Renate Wunstorf1 — 1Uni Dortmund, Exp. Physik IV, Otto-Hahn-Straße 4, 44221 Dortmund — 2CERN, Genf
Zur Untersuchung designabhängiger Parameter von Pixeldetektoren wurden Teststrukturen entworfen und hergestellt. Diese enthalten verschiedene Pixelabmessungen und Implantationsbreiten. An den Strukturen wurden Abhängigkeiten der Strom- und Spannungskennlinien und der Zwischenstreifenkapazitäten vom Design der Pixelstrukturen untersucht. Um den designabhängigen Einfluß der Oberflächenschädigung auf die Eigenschaften der Pixelstrukturen zu untersuchen, wurden diese mit einem modifizierten Elektronenmikroskop bestrahlt. Wegen der niedrigen Elektronenenergien ist eine Kristallschädigung ausgeschlossen. Für verschiedene Dosiswerte wurden die Kennlinien unter Berücksichtigung des Designs verglichen und zu einer systematischen Untersuchung der Schädigungseinflüße auf die Struktureigenschaften herangezogen.