München 1997 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 206: Halbleiterdetektoren II

T 206.3: Gruppenbericht

Mittwoch, 19. März 1997, 14:40–15:05, 223

Mikroskopische Untersuchungen zur Strahlenh"arte von Siliziumdetektoren — •H. Feick — Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Die Lebensdauer von Siliziumz"ahlern f"ur Anwendungen als Vertex- und Spurdetektoren in Experimenten der Hochenergiephysik ist durch die Einwirkung der intensiven Teilchenfelder begrenzt [1]. Insbesondere ist eine strahlungsbedingte Ver"anderung der Dotierung des Siliziums und ein Anstieg der Leckstr"ome zu verzeichnen, wof"ur jeweils allgemein anerkannte ph"anomenologische Beschreibungen, jedoch keine umfassende Erkl"arung auf der Grundlage der Versetzungsdefekte im Halbleiter existieren. Die Gruppe befaßt sich daher mit Untersuchungsmethoden wie DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy), TSC (Thermally Stimulated Current) und TCT (Transient Current Technique), um die Auswirkungen von hochenergetischer Teilchenstrahlung auf Siliziumdetektoren mikroskopisch zu charakterisieren. Erste Ergebnisse zur Korrelation des Ausheilverhaltens der makroskopischen Strahlensch"adigung mit bestimmten Defekten und zur systematischen Untersuchung der Defektniveaus in Material mit variierten Verunreinigungskonzentrationen (Phosphor, Sauerstoff, Kohlenstoff) werden vorgestellt.

[1] A. Chilingarov et al., NIM A 360 432 (1995)