München 1997 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 206: Halbleiterdetektoren II

T 206.5: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 15:20–15:35, 223

DLTS - Messungen an neutronenbestrahlten Siliziumdetektoren mit unterschiedlich hohem Phosphor- und Sauerstoffgehalt — •J. Luckow , H. Feick, E. Fretwurst, G. Lindström und M. Moll — Institut für Experimentalphysik, Universität Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Im Rahmen der ROSE (CERN - RD48) - Kollaboration[1] wurde der Einfluß des Siliziumausgangsmaterials, speziell bezüglich des Phosphor- und Sauerstoffgehaltes, auf die Defektbildung durch Neutronenbestrahlung untersucht. Dioden mit unterschiedlich starker Phosphordotierung aus float-zone Silizium (50 Ω cm, 100 Ω cm und 2 KΩ cm) wurden isochronal getempert und die Defektumwandlung mit Hilfe der C-DLTS-Methode (Capacity - Deep Level Transient Spectroscopy) beobachtet. Durch Vergleich des thermischen Ausheilverhaltens der Defektkomplexe in den drei Ausgangsmaterialien und mit Hilfe von Simulationen bereits gemessener Defektniveaus konnten Erkenntnisse über den Phosphor-Leerstellen-Komplex (E-Zentrum) gewonnen werden. Außerdem wird über Resultate von Messungen an Proben aus sauerstoffangereichertem float-zone Silizium und dem herstellungsbedingt sauerstoffreichen Czochralski Silizium vor und nach Neutronenbestrahlung berichtet.

[1] ROSE - R & d On Silicon for future Experiments,
http://http1.brunel.ac.uk:8080/depts/phys/rose/rose.html