München 1997 – wissenschaftliches Programm

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T: Teilchenphysik

T 306: Halbleiterdetektoren III

T 306.2: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 16:25–16:40, 223

Vergleich der Strahlungsschäden von Protonen und Pionen in GaAs Schottky-Dioden für den Einsatz als Halbleiterdetektor am LHC — •N. Duda, M. Rogalla, R. Geppert, R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel und C. Weber — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Fakultät für Physik, Hermann-Herder-Straße 3, 79104 Freiburg

Durch den Vergleich von Strahlenschäden verursacht durch 24 GeV Protonen und 191 MeV Pionen in GaAs-Schottkydioden wurden die dazugehörigen Härtefaktoren bestimmt. Als Kenngrößen wurde die Ladungsausbeute für Alpha- und Betateilchen verwendet.