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T: Teilchenphysik

T 306: Halbleiterdetektoren III

T 306.3: Talk

Wednesday, March 19, 1997, 16:40–16:55, 223

Untersuchung der elektronischen Eigenschaften und der Strahlenh"arte von Komponenten f"ur eine Pixelauslese-Elektronik in GaAs CHFET und SOI (Silicon on Isolator) Technologie — •J. Breibach, D. Albertz, W. Braunschweig, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, G. Pierschel, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski, and W.J. Xiao — I. Physikalisches Institut, RWTH Aachen, Sommerfeldstr.14, 52074 Aachen

Unser Vorhaben ist die Entwicklung strahlenharter Front-End-Elektronik für Pixeldetektoren. Die Schaltungen sollen 10 Jahre ohne ernsthafte Änderungen der Parameter in der LHC Umgebung arbeiten. Es werden Untersuchungen an GaAs CHFET-Bauelementen sowie an SOI CMOS-Transistoren vorgestellt. Die Technologien werden in Bezug auf ihre DC und Rauscheigenschaften vor und nach Bestrahlung miteinander verglichen und es wird ihre Eignung f"ur den Einsatz im CMS-Experiment diskutiert.