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T: Teilchenphysik
T 306: Halbleiterdetektoren III
T 306.4: Talk
Wednesday, March 19, 1997, 16:55–17:10, 223
Einfluß des spezifischen Widerstands von SI-GaAs auf die Strahlungshärte von Schottky-Dioden für den Einsatz als Halbleiterdetektor am LHC — •M. Rogalla, R. Geppert, R. Göppert, M. Hornung, R. Irsigler, J. Ludwig, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel und C. Weber — Albert-Ludwigs-Universität Freiburg, Fakultät für Physik, Hermann-Herder-Straße 3, 79104 Freiburg
Mittels elektrischer Charakterisierung und Detektortests wurden Strahlenschäden verursacht durch 24 GeV Protonen, 192 MeV Pionen und 1 MeV Neutronen in GaAs-Schottkydioden untersucht. Hierbei konnten die Ladungsausbeute für Alpha- und Betateilchen bis zu einem Teilchenfluß von 5 × 1014 cm−2 gemessen werden. Es wurde ein Zusammenhang zwischen der Strahlungshärte und dem spezifischen Widerstand des Substratmaterials gefunden.