München 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

T: Teilchenphysik

T 306: Halbleiterdetektoren III

T 306.5: Vortrag

Mittwoch, 19. März 1997, 17:10–17:25, 223

Untersuchung der Strahlensch"aden von GaAs Teilchendetektoren mit Protonen und Pionen bis 6 × 10¹⁴ cm⁻² — •W. J. Xiao, D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gr"assel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. L"ubelsmeyer, C. Rente, O. Syben, F. Tenbusch, and M. Toporowsky — I. Physikalisches Institut der RWTH Aachen

Halbleiterdetektoren aus semi-isolierendem Gallium-Arsenid wurden mit Protonen (Energie 23 GeV) und Pionen (kinetische Energie 191 MeV) mit Fl"usse bis 6 × 10¹⁴ cm⁻² bei Raumtemperatur bestrahlt. Alle Detektoren wurden vor und nach der Bestrahlung hinsichtlich des I-V Verhaltens und der Ladungsausbeute f"ur minimal ionisierende und α-Teilchen charakterisiert. Desweiteren wurde die Reduktion der mittleren freien Wegl"angen f"ur Elektronen und L"ocher in Abh"angigkeit des Bestrahlungsflusses ermittelt.
Drei GaAs Detektoren wurden bei einer Temperatur von −8^oC ebenfalls mit Protonen (Flu"s 6 × 10¹³ cm⁻² ) bestrahlt. Nach der Bestrahlung wurden die Detektoren bei Raumtemperatur aufgew"armt. Das Verhalten dieser Detektoren vor und nach dem Aufw"armen wurde untersucht.