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T: Teilchenphysik

T 406: Halbleiterdetektoren IV

T 406.6: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 15:15–15:30, 223

Untersuchung der Strahlenh"arte von Oxiden auf hochohmigem n-Silizium nach Bestrahlung mit 20 KeV Elektronen — •M. Kuhnke, H. Feick, E. Fretwurst, G. Lindstr"om, and M. Moll — Institut f"ur Experimentalphysik, Universit"at Hamburg, Luruper Chaussee 149, D-22761 Hamburg

Bei der Bestrahlung von MOS-Kapazit"aten mit niederenergetischen Elektronen ist allein eine strahlungsbedingte Ver"anderung des Oxides der Detektoren zu beobachten, da die Energie der Teilchen nicht ausreicht, um Versetzungssch"aden im Siliziummaterial zu erzeugen. Die niederenergetische Strahlung erzeugt im Oxid feste positive Ladung, die die Flachbandspannung der MOS-Kapazit"aten zu gr"o"seren Spannungen verschiebt. Weiterhin f"uhrt die Strahlensch"adigung zu einer Zunahme der Zustandsdichte an der Grenzfl"ache Silizium-Siliziumdioxid. Es werden Oxide aus unterschiedlichen Herstellungsprozessen untersucht, um deren Auswirkung auf die Strahlenh"arte des Oxides zu bestimmen.