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14:00 |
T 406.1 |
Eigenschaften komplett prozessierter Streifendetektoren in GaAs Technologie einschließlich integrierter Biasing-Strukturen und Auslese-Koppelkapazitäten — •C. Rente, D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao
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14:15 |
T 406.2 |
Messungen an integrieretn GaAs Streifendetektoren — •D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gräßel, W. Karpinski, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski und W.J. Xiao
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14:30 |
T 406.3 |
First results from Silicon pad detector. — •Wladimir Arkadov
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14:45 |
T 406.4 |
Doppelseitige Silizium-Mikrostreifendetektoren mit nullunterdrückter Auslese in einem Fixed-Target-Experiment — •J. Simon, U. Dersch, E. Durucan, I. Eschrich, I. Konorov, H. Krüger, S. Masciocchi, B. Povh, K. Vorwalter und R. Werding
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15:00 |
T 406.5 |
Development of Readout Electronics for Pixel Detectors at CMS — •W. Karpinski, D. Albertz, W. Braunschweig, J. Breibach, D. Gräßel, R. Krais, Th. Kubicki, K. Lübelsmeyer, C. Rente, G. Pierschel, R. Siedling, O. Syben, F. Tenbusch, M. Toporowski, and W.J. Xiao
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15:15 |
T 406.6 |
Untersuchung der Strahlenh"arte von Oxiden auf hochohmigem n-Silizium nach Bestrahlung mit 20 KeV Elektronen — •M. Kuhnke, H. Feick, E. Fretwurst, G. Lindstr"om, and M. Moll
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