Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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CP: Chemische Physik

CP 14: Poster zur Sitzung CP4

CP 14.19: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 18:30–21:15, FBH

Theorie organischer Feldeffekttransistoren — •R. Tecklenburg¹, G. Paasch¹ und S. Scheinert² — ¹Institut für Festkörper- und Werkstofforschung Dresden e.V., Postfach 270016, 01171 Dresden — ²Institut für Festkörperelektronik, TU Ilmenau, 98684 Ilmenau

Transistoren mit organischen Materialien als aktiver Schicht werden noch vorwiegend verwendet, um die Beweglichkeit der Ladungsträger in diesen Materialien zu bestimmen. Die Auswertung der Kennlinien erfolgt bisher nach dem einfachen Shockley - Modell, in dem weder die Besonderheiten, die sich aus der meist verwendeten Bauart als Dünnschichttransistor (TFT) ergeben, noch die speziellen Eigenschaften der Ladungsträger berücksichtigt werden. Ausgehend von 2D-Simulationen verschiedener TFTs auf Si-Basis wurde von uns ein analytisches Modell entwickelt, das die bauartbedingten Besonderheiten beinhaltet und so schon eine verbesserte Kennlinienbeschreibung erlaubt. Dieses Modell wurde darüber hinaus so weiter entwickelt, daß die Auswirkungen, die aus der Existenz von Radikalkationen und Dikationen folgen, erfaßt werden können. Zunächst wird von den grundlegenden Annahmen aus gegangen, daß: (a) Die Dikationen energetisch bevorzugt sind und damit die dominierende Ladungsträgerart liefern und (b) nur die Löcher der Radikalkationen zum Strom beitragen können. Die Anwendung dieses neuen Modells auf organische Transistoren und die sich daraus ergebenden Schlußfolgerungen auf den Ladungstransport sollen hier vorgestellt werden.