Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

CP: Chemische Physik

CP 4: Organische Leiter und SupraleiterOrganisation: D. Schweitzer

CP 4.14: Talk

Tuesday, March 18, 1997, 15:45–16:00, Ger

Anorganisch/Organische Halbleiter Grenzschichten: GaAs/PTCDA — •Ute Schuhmacher, T. Rais und G. Denninger — 2. Physikalisches Institut, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 57, D-70550 Stuttgart

Im Hinblick auf die Emission spinpolarisierter Elektronen aus GaAs in aufliegende Schichten aus organischen Molekülen wurden GaAs/PTCDA/Au und ITO/PTCDA/Au Schichtstrukturen hergestellt (PTCDA: Perylen-Tetra-Carbonsäure Di-Anhydrid, ITO: Indium-Zinn-Oxid). Für PTCDA spricht die im Bezug zu GaAs günstige Lage der Energieniveaus und das gute Aufwachsverhalten in dünnen Schichten. PTCDA wurde im Vakuum aufsublimiert (500nm - 1µm Schichtdicke) und eine transparente Goldelektrode aufgedampft.
Wir berichten über temperatur- und frequenzabhängige I(U) Kennlinien, C-U Messungen und spektral aufgelöste Photospannungsmessungen. Zusätzlich wurden die Proben mit SIMS und mikroskopischen Methoden im Hinblick auf die mögliche Diffusion von Gold in die organische Schicht charakterisiert.