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DS: Dünne Schichten

DS 12: Harte Schichten I

DS 12.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 10:30–10:45, PC 7

Zersetzung von verschiedenartig deponierten Kohlenstoff-Schichten und von sputterdeponiertem amorphen SiC auf Molybdän — •U. Littmark — Institut für Grenzflächenforschung und Vakuumphysik, Forschungszentrum Jülich, 52425 Jülich

Dünne Schichten aus Kohlenstoff wurden auf polykristallines Molybdän durch Plasma-Abscheidung, Elektronenstrahl-Sublimation und Zerstäubungs-Deposition aufgetragen. Die Proben wurden alternierend getempert und mittels AES und SIMS tiefenprofiliert. Dabei zeigte sich, daß an der Grenzfläche C||Mo eine wohldefinierte Molybybdänkarbid-Schicht aufwächst, und die Prozesse die daran beteiligt sind, konnten identifiziert werden. Ähnliche Versuche wurden mit zerstäubungsdeponierten, amorphen Siliziumkarbid-Schichten durchgeführt, die zusätzlich mit XPS in-situ untersucht wurden. Hier bildet sich sowohl Molybdänkarbid als auch Molybdänsilizid in separaten Schichten aus. Die Ergebnisse über das C||Mo-System erwiesen sich als wertvoll bei der Interpretation des SiC||Mo-Systems.