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DS: Dünne Schichten

DS 12: Harte Schichten I

DS 12.4: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:00–11:15, PC 7

Deposition von TiN-Schichten bei Zimmertemperatur — •You Qiang, H. Haberland, B. Knühl, J. Kraft, O. Rattunde und T. Reiners — Freiburger Materialforschungszentrum, Stefan-Meier-Str. 21, 79104 Freiburg

TiN-Schichten wurden mit dem Energetic Cluster Impact (ECI) -Verfahren hergestellt. Dabei werden die Cluster in einer Gasaggregationsquelle in Kombination mit einer Magnetron-Sputter-Entladung erzeugt. Anschließend werden die negativ geladenen Cluster in einem elektrischen Feld von den neutralen und positiven getrennt und auf das Substrat beschleunigt. Wenn man dem Aggregationsgas 1...4% N₂ zusetzt, erhält man TiN-Cluster mit einer typischen Größe von 1000...3000 Atomen. Die Cluster wurden mit kinet. Energien von bis zu 30 keV auf verschiedene Substrate (Stahl, Si, Glas, Keramik, Teflon) abgeschieden. Die Zusammensetzung der Schichten wurde mit RBS und EDX, die Mikrostruktur mit AFM und SEM untersucht. Die Rauhigkeit der Schichten sinkt bei Erhöhung der kinet. Energie der Cluster. Bei Energien von mehr als 10 eV/Atom betrug sie unter 1nm. Mechanische Eigenschaften wie Haftung und Schichtspannung werden diskutiert.