Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 14: Solarzellen und Displaytechnologie

DS 14.2: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 10:30–10:45, ZB

Pr"aparation texturierter WS₂-Schichten durch van der Waals-Rheotaxie (Epitaxie) — •U. Meier¹, A. Matth"aus¹, T. Kiesewetter¹, S. Tiefenbacher¹, A. Ennaoui¹, S. Fiechter¹, W. Jaegermann¹, and R. Tenne² — ¹Hahn-Meitner-Institut, Abt. CG/CS, Glienicker Stra"se 100, 14109 Berlin — ²Dept. of Mat. Research, The Weizmann Institute of Science, Rehovot 76100, Israel

Die Nutzung des Schichtgitterchalkogenids WS₂ f"ur D"unnschichtsolarzellen setzt texturierte und elektronisch optimierte Schichten auf billigen Substraten voraus. St"ochiometrische WS₂-Schichten wurden durch Sulfurisierung aufgedampfter WO₃-Schichten auf unterschiedlichen Substraten (Saphir, Glimmer, Quarzglas, Graphit) pr"apariert und mit R"ontgenbeugung (XRD), Elektronenmikroskopie (REM), Photoelektronenspektroskopie und elektrischen Messungen charakterisiert. Eine Ausrichtung der Schichten parallel zum Substrat (⊥c Textur) wird f"ur zweidimensionale Substrate in allen F"allen erreicht (van der Waals-Epitaxie). Auf Glas wird eine ultrad"unne Zwischenschicht von Ni (<100Å) ben"otigt (van der Waals-Rheotaxie). F"ur gut texturierte Schichten wurden Beweglichkeiten bis zu 100 cm²/Vs und Photoaktivit"at erreicht.