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DS: Dünne Schichten

DS 14: Solarzellen und Displaytechnologie

DS 14.4: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 11:00–11:15, ZB

Strukturabhängigkeit der elektrischen Eigenschaften von Indium–Zinnoxid–Schichten — •C. Daube¹, A. Klöppel², W. Kriegseis², B.K. Meyer², A. Scharmann² und J. Stollenwerk¹ — ¹Balzers Prozeß–Systeme GmbH, Hanau — ²Physikalisches Institut, Justus–Liebig– Universität Gießen

Ein vielfach verwendetes Material der Dünnschichttechnologie ist Indium–Zinnoxid (ITO), das in der Displayindustrie als transparente, leitfähige Elektrode zum Einsatz kommt. Seine elektrischen und optischen Eigenschaften lassen sich durch die Wahl der Herstellparameter in weitem Umfang beeinflussen. In dieser Untersuchung wurden DC–Magnetron– gesputterte ITO–Schichten unter Variation des Sauerstoffgehaltes der Sputteratmosphäre bei Raumtemperatur auf Glassubstraten abgeschieden. Nachfolgend wurden die ITO–Schichten einer Temperbehandlung in Vakuum mit unterschiedicher Temperatur unterzogen. Der Einfluß dieser Herstellparameter auf die Struktur und die elektrischen Eigenschaften der ITO–Schichten wurde durch den Einsatz elektrischer, optischer und kristallografischer Meßmethoden untersucht.