Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 18: Harte Schichten III

DS 18.3: Vortrag

Dienstag, 18. März 1997, 15:45–16:00, PC 7

Eigenschaften amorpher hydrogenisierter Bor (a–B:H) Schichten — •A. Annen, M. Sass und W. Jacob — Max–Planck–Institut für Plasmaphysik, Boltzmannstr. 2, D–85748 Garching b. München

Amorphe hydrogenisierte Bor–Schichten (a–B:H) sind in der Fusionsforschung und Photovoltaik von Interesse. Dennoch ermangelt es grundlegender Kenntnisse bezüglich ihrer Stabilität, Zusammensetzung und Struktur. Zur Untersuchung u.a. dieser Eigenschaften wurden a-B:H Filme mittels RF–PECVD unter breiter Variation der Präparationsparameter deponiert und mit Ionenstrahlverfahren, FTIR– und thermischer Desorptions–Spektroskopie analysiert. Eindeutige Korrelationen zwischen Präparationsparametern, Filmkomposition/–dichte und Stabilität werden aufgezeigt. Die Quantifizierung des in den Filmen eingebundenen Wasserstoffs mittels FTIR wird diskutiert und Proportionalitätskonstanten zur Bestimmung des H–Gehaltes aus den Infrarotabsorptionsbanden der B–H Endbindung und der B–H–B Brückenbindung angegeben.