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DS: Dünne Schichten

DS 1: BN I

Montag, 17. März 1997, 10:15–11:15, PC 7

	10:15	DS 1.1	Computersimulationen zur Schichtabscheidung von Bornitrid — •K. Albe, K.–H. Heinig und W. Möller
	10:30	DS 1.2	Ein einfaches Modell für spannungsinduziertes c-BN-Schichtwachstum in ionenunterstützten Abscheideverfahren — •Thomas Klotzbücher und Ernst Wolfgang Kreutz
	10:45	DS 1.3	In situ Spannungsmessung bei der ionengestützten Abscheidung dünner Schichten — •M. Zeitler, J.W. Gerlach, S. Sienz, T. Kraus, M. Moske, B. Stritzker und B. Rauschenbach
	11:00	DS 1.4	Schwellwerte für die Bildung dünner Schichten aus kubischem Bornitrid — •H. Feldermann, M. Sebastian, C. Ronning und H. Hofsäss