Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 2: YSZ

DS 2.4: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 11:00–11:15, H 55

Wachstumsmechanismen in mit IBAD hergestellten biaxial texturierten YSZ-Funktionsschichten — •J. Wiesmann, J. Dzick, J. Hoffmann, K. Heinemann und H.C. Freyhardt — Institut für Metallphysik, Hospitalstr. 3-7, 37073 Göttingen

Für viele technische Anwendungen von HTSL-Filmen (z.B. resistiver Strombegrenzer, HF-Kabel) wird ein hochtexturiertes Wachstum nicht nur auf einkristallinen, sondern auch auf nicht epitaxiefähigen Substraten benötigt. Dies kann bisher nur erreicht werden durch eine YSZ-Zwischenschicht, die durch ionenstrahlunterstützte Deposition (IBAD) biaxial texturiert wird und als Unterlage für ein epitaktisches Wachstum des YBCO dient. Unsere besten YSZ-Filme erreichen mittlerweile FWHM im (111)-Φ-scan von bis zu 7^∘ (bei 7 µm Schichtdicke). Darauf konnten YBCO-Filme mit j_c > 2·10⁶ A/cm² abgeschieden werden. Es wird eine Verbesserung der Textur der YSZ-Filme mit zunehmender Schichtdicke beobachtet. Der genaue Wachstumsmechanismus der IBAD-Filme, der im Detail noch ungeklärt ist, wird anhand von drei verschiedenen Effekten auf die Ausbildung der Textur analysiert: (1) Keimphase, (2) Wachstumsauslese und (3) homoepitaktische Effekte. Es wird besonders auf die unterschiedliche Bedeutung dieser Effekte während eines Depositionsprozesses eingegangen.