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Münster 1997 – scientific programme

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DS: Dünne Schichten

DS 21: SiC (Ionenimplantation)

Thursday, March 20, 1997, 09:30–10:45, H 55

09:30 DS 21.1 Ionenstrahlinduzierte epitaktische Rekristallisation (IBIEC) von vergrabenen 3C-SiC Schichten in Silizium — •K. Volz, J.K.N. Lindner und B. Stritzker
09:45 DS 21.2 Untersuchungen zur ionenstrahlinduzierten Amorphisierung von α-SiC(6H) mittels IBA, XAS und Raman — •J. Conrad, W. Bolse, T. Rödle, S. Pietzonka, M. Borowski und A.-M. Flank
10:00 DS 21.3 Temperaturabhängigkeit der SiC-Bildung während der Hochdosisimplantation von Kohlenstoff-Ionen in Silizium — •J.K.N. Lindner und B. Stritzker
10:15 DS 21.4 Mechanische Spannungen und plastischer Fluß in ionenbestrahltem SiC und SiO2 — •F. Harbsmeier, J. Conrad und W. Bolse
10:30 DS 21.5 Kristallgitter-Einbau implantierter Ionen in 6H-SiC — •H. Wirth, M. Voelskow, D. Panknin und W. Skorupa
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