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DS: Dünne Schichten

DS 24: Ionenimplantation I

DS 24.4: Vortrag

Donnerstag, 20. März 1997, 11:45–12:00, H 55

Einflu"s von Molybd"an auf die Rekristallisation von amorphen Silizium — •S. Thoma, J.K.N. Lindner, and B. Stritzker — Institut f"ur Physik, Universit"at Augsburg, 86135 Augsburg

Von verschiedenen Elementen ist bekannt, da"s bereits geringe Konzentrationen die Kristallisation von amorphen Silizium deutlich beschleunigen oder verz"ogern k"onnen. Das Verhalten von Molybd"an in Silizium ist jedoch weitgehend unerforscht, obwohl Molybd"an in vielen Anlagen als Hochtemperaturwerkstoff eingesetzt wird und somit als Kontaminationsquelle in Frage kommt.

Es wurden daher ⁹⁶Mo-Ionen mit einer Energie von 180 keV in (111) Siliziumkristalle bei einer Targettemperatur von 240 - 330 K im Dosisbereich von 1· 10¹⁵ bis 1· 10¹⁷Mo/cm² implantiert.

Die Dicke der dabei entstehenden amorphen Siliziumschicht wurde durch Channeling-Messungen bestimmt. Nach isothermen Temperschritten bei 500, 550 und 600 ^∘C wurden erneut Channeling-Untersuchungen vorgenommen, um die Verlagerung der amorph/kristallinen Grenzfl"ache zu beobachten.

Es zeigt sich ein konzentrationsabh"angiger Einflu"s auf die Kristallisationsgeschwindigkeit.