DPG Phi
Verhandlungen
Verhandlungen
DPG

Münster 1997 – scientific programme

Parts | Days | Selection | Search | Downloads | Help

DS: Dünne Schichten

DS 28: Ionenimplantation II

DS 28.5: Talk

Friday, March 21, 1997, 11:15–11:30, PC 7

Quanteneffekte in mittels Ionenstrahlsynthese hergestellten vergrabenen Submikrometer-CoSi2-Drähten — •D. Lenssen, S. Mesters und S. Mantl — Forschungszentrum Jülich GmbH, 52425 Jülich

Mittels Ionenstrahlsynthese wurden vergrabene CoSi2-Drähte in (100)-Silizium hergestellt. Dazu wurden Kobaltionen durch eine Implantationsmaske, bestehend aus einem Schichtsystem aus Chrom, Wolfram und SiO2, in Silizium implantiert und anschließend getempert. Die Maske wurde mittels Elektronenstrahldirektschreibens strukturiert, so daß Strukturen unter 200 nm hergestellt werden konnten.

Mit Hilfe von Querschnitts-TEM-Aufnahmen wurde das Wachstum der CoSi2-Drähte in Abhängigkeit der Breite der Maskenöffnung untersucht. Ferner wurden Hallbarren für elektrische Messungen strukturiert. Insbesondere wurde der Magnetowiderstand von Drähten mit Breiten zwischen 200 nm und 1 µm bei Temperaturen zwischen 2 K und 6 K untersucht. Dabei konnte Schwache Lokalisierung [1] mit starker Spin-Bahn-Kopplung nachgewiesen werden.

[1] G. Bergmann, Phys. Rep. 107, No.1, 2 (1984)

100% | Mobile Layout | Deutsche Version | Contact/Imprint/Privacy
DPG-Physik > DPG-Verhandlungen > 1997 > Münster