Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 30: Molekularstrahlepitaxie

DS 30.4: Vortrag

Freitag, 21. März 1997, 11:00–11:15, ZB

Röntgenfeinstrukturuntersuchungen an selbstorganisierten
AlGaAs-GaAs Quantum Wire Strukturen auf Multilayersystemen — •Thomas Titsch¹, Jürgen Bläsing¹, Nikolai N. Faleev², Jürgen Christen¹, H. Nakashima³ und M. Takeuchi³ — ¹Institut für Experimentelle Physik, Otto–von–Guericke–Universität Magdeburg — ²Physikalisch-Technisches Institut ”A. F. Ioffe”, St. Petersburg, Russische Föderation — ³ISIR, Osaka University, Japan

Röntgenverfahren gehören zu den wichtigsten Charakterisierungsmethoden für Halbleiter-Schichtsysteme. Es werden strukturelle Parameter für selbstorganisierte Quantenfaden-Strukturen vorgestellt, die mit verschiedenen Röntgenfeinstrukturmethoden gewonnen wurden. Die GaAs-Quantenfäden entstehen beim MBE-Wachstum einer AlGaAs / GaAs / AlGaAs-Quantentopfstruktur auf den Superstufen eines AlAs / GaAs-Übergitters, gewachsen auf 3deg bzw. 6deg fehlorientiertem (110)-GaAs-Substrat. Mittels richtungsabhängiger hochauflösender Röntgendiffraktometrie sowie spekulärer und diffuser Röntgenreflektometrie konnten sowohl die Kristallisationsstruktur des Quantenfaden-Systems als auch die Oberflächenkorrugation (Superstufen) charakterisiert werden.