Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.10: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Herstellung und Charakterisierung von Zn_2.5In_2−xSn_xO₆-Schichten für photovoltaische Anwendungen — •J.H. Schön, O. Schenker und E. Bucher — Fakultät für Physik, Universität Konstanz

Zn_2.5In_2−xSn_xO₆ (ZITO) stellt eine mögliche Alternative zu den gebräuchlichen transparenten Oxiden, wie ZnO, In₂O₃ oder SnO₂, dar. Es wurden Dünnfilme mit Schichtdicken zwischen 50 und 1000 nm durch rf-Magnetronsputtern hergestellt. Desweiteren wurde der Einfluß relevanter Parameter, wie O₂-Partialdruck oder Substrattemperatur, auf die Schichteigenschaften untersucht. Zur Charakterisierung dienten Messungen der spezifischen Leitfähigkeit, des Hall-Effektes sowie optische Methoden. Es wurde eine Transparenz von über 0.8 im Bereich des Sonnenspektrums bei einer spezifischen Leitfähigkeit von 2000 (Ωcm)⁻¹ erreicht. Zusätzlich wurde der Einfluß von Temperprozessen in verschiedenen Gasatmosphären auf die Schichten untersucht. Die Ergebnisse werden mit den Eigenschaften von Al-dotiertem ZnO, das standardmäßig für CuIn_1−xGa_xSe₂-Solarzellen verwendet wird, verglichen.