Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 33: Postersitzung
DS 33.29: Poster
Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula
Herstellung dünner Schichten in einem MOCVD-Reaktor mit In-Situ Schichtdickenmessung — •F. Hamelmann1, S. Petri2, A. Klipp2, J. Hartwich1, U. Kleineberg1, P. Jutzi2 und U. Heinzmann1 — 1Universität Bielefeld, Fakultät für Physik — 2Universität Bielefeld, Fakultät für Chemie
MOCVD (Metal-Organic Chemical Vapor Deposition) ist ein vielversprechendes Verfahren zur Herstellung dünner Schichten. Mittels ’maßgeschneiderter’ Precursoren ist es möglich, die Nachteile des ’konventionellen’ CVD (z.B. schwer handhabbare Precursoren, hohe Substrattemperaturen) zu überwinden.
In einem speziell konstruierten Reaktor werden Silizium- und Metallschichten (z.B. Wolfram, Molybdän) von einigen Nanometern Dicke abgeschieden, um die Tauglichkeit des Verfahrens für die Herstellung von Multischichtsystemen zu untersuchen. Für die Kontrolle der Schichtdicke sowie der Grenzflächeneigenschaften wird während der Abscheidung in-situ die Röntgenreflektivität einer C-K Linie (λ=4.4nm) gemessen. Die so hergestellten Schichten werden ex-situ hinsichtlich ihrer Struktur und chemischen Zusammensetzung mit verschiedenen Verfahren (Röntgenbeugung, AES) charakterisiert. eigentliche Text, genau einmal