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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.40: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Wachstum und Charakterisierung von c-BN Schichten — •M. F. Plass, W. Fukarek, A. Kolitsch und W. Möller — Forschungszentrum Rossendorf, Institut für Ionenstrahlphysik und Materialforschung, 01314 Dresden

Kubisches BN (c-BN) hat wegen seiner großen Härte und guten Stabilität ein breites Anwendungspotential als Schutzschicht. Leider zeigen c-BN Schichten ein Lagenwachstum [1], d.h. nahe dem Substrat bildet sich erst h-BN, bevor nanokristallines c-BN wächst. Dünne BN Filme wurden mit ionenstrahlgestützter Deposition (IBAD) auf Silizium abgeschieden und anschließend mit polar. IR Reflexion (PIRR) [2] Spektroskopie untersucht. Die Analyse der PIRR Daten von BN Schichten [3] mit einem Lagenmodell unter Berücksichtigung der Anisotropie von h-BN zeigt, daß - im Gegensatz zur h-BN-Schichtdicke - der c-BN Anteil (ca. 90 %) der Deckschicht unabhängig von den Depositionsparametern ist [4]. Das etablierte IR-Intensitätsverhältnis zur Bestimmung des c-BN Anteils, welches von den beiden BN Schichten mit nahezu reiner Phasenzusammensetzung abhängt [1], kann nur sehr grobe Informationen liefern und somit nur geringe Einblicke in den Wachstumsmechanismus bieten.

[1] D.J. Kester et al., J. Vac. Sci. Technol. A12, 3074 (1994)

[2] W. Fukarek et al., Surf. Interface Anal. 24, 243 (1996)

[3] M. F. Plass et al., Appl. Phys. Lett. 69, 46 (1996)

[4] M. F. Plass et al., Diamond Relat. Mater. (accepted)