Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 33: Postersitzung

DS 33.46: Poster

Dienstag, 18. März 1997, 16:15–17:45, Aula

Diagnostik der Schichtwachstumsprozesse von kubischem Bornitrid durch in situ VIS–Ellipsometrie — •K.-L. Barth, P. Bachem und A. Lunk — Institut für Plasmaforschung, Universität Stuttgart, Pfaffenwaldring 31, 70569 Stuttgart

Die in situ VIS–Ellipsometrie ist hervorragend geeignet, einen Beitrag zur Aufklärung der Bildungsmechanismen von kubischem Bornitrid (c–BN) unter den Bedingungen der plasmaaktivierten Beschichtung zu leisten. Vorgestellt werden die Untersuchungen zum Schichtwachstum von haftenden (Schichtdicke 720 nm) und nichthaftenden (Abplatzung bei 400 nm) c–BN Schichten im Hohlkathodenbogenverdampfer. Das eingesetzte Ellipsometer ist durch folgende Angaben charakterisiert: rotierender Analysator, λ=650 nm; Zeitauflösung 1 s, Ortsauflösung auf der Probe 1 mm. Die gemessenen Ψ-Δ–Plots werden mit der effektiven Medium Theorie unter der Annahme eines anisotropen Mehrschichtmodells simuliert. Die Simulation der Ψ-Δ–Werte ergab Schichtabfolgemodelle, die aus fünf (haftend) bzw. vier Schichten (nichthaftend) bestehen. Gemeinsam ist diesen Modellen eine Interfaceschicht zum Substrat und eine borreiche Deckschicht an der Wachstumsfront. Zum Vergleich wurde das Schichtwachstum von h–BN diagnostiziert. Die Wachstumsrate der c–BN Schichten ist eine Funktion der Schichtdicke. Während die Rate der haftenden Schicht bis zu einer Dicke von 50 nm der des h–BN entspricht, ist die Rate der abplatzenden Schicht zu Beginn des Wachstums um den Faktor 2,5 geringer.