Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 4: BN II

DS 4.2: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 12:00–12:15, PC 7

Elektrische Eigenschaften und thermische Stabilität ionenstrahldeponierter BN-Schichten — •M. Sebastian, H. Feldermann, C. Ronning, E. Dreher, M. Gross und H. Hofsäss — Universität Konstanz, Postfach 5560, D-78464 Konstanz

Dünne Bornitrid-Schichten wurden im UHV durch die abwechselnde Deposition von niederenergetischen und massenseparierten ¹¹B⁺- und ¹⁴N⁺-Ionen hergestellt. Je nach Depositionsbedingungen waren die Schichten ungeordnet (a-BN), hexagonal (h-BN) oder kubisch (c-BN). Diese Schichten wurden unter verschiedenen Bedingungen angelassen und als Funktion der Anlaßtemperatur mit FTIR untersucht. Ungeordnete BN-Schichten zeigen dabei eine strukturelle Änderung, während h-BN und c-BN-Schichten bis zu Temperaturen von 1000 C stabil sind. Elektrische Messungen an verschiedenen Schichten ergaben, daß der Leitungsmechanismus unabhängig von der Struktur im wesentlichen durch Frenkel-Poole Leitung gegeben ist.