Münster 1997 – wissenschaftliches Programm
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DS: Dünne Schichten
DS 8: Charakterisierungsverfahren I
DS 8.3: Vortrag
Montag, 17. März 1997, 15:45–16:00, H 55
Elektromigration im Frühstadium — •Holger Schührer, Hubert Brückl und Günter Reiss — Institut für Festkörper- und Wekstofforschung Dresden Helmholtzstr.20 01069 Dresden
Durch die ständige Miniaturisierung von Bauelementen in der Mikroelektronik und die daraus resultierende erhöhte Stromdichte in den Leiterbahnen, ist die Elektromigration heute ein bedeutender Ausfallmechanismus. Zum besseren Verständnis der strukturellen Veränderungen von Leiterbahnen unter Strombelastung haben wir mit Hilfe eines Rasterkraftmikroskopes (AFM) Leiterbahnmäander aus AlSi1%Cu0.5% (1 µm dick, 4 µm breit, 44 mm lang) unter geringer Strombelastung (4·105 A/cm2) bei Raumtemperatur kontinuierlich über längere Zeiträume beobachtet. Die Leiterbahnen zeigen schon vor erster Hügel- oder Porenbildung deutliche strukturelle Veränderungen. Neben dem Wachsen und Schrumpfen von Kristalliten konnten auch Veränderungen in den Korngrenzen und das Wandern von Kristalliten beobachtet werden. Hierbei zeigte sich auch, daß durch die Erwärmung der Probe auf Grund der Strombelastung mechanische Spannungen auftreten.