Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS 9: Mikrosonden

DS 9.1: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 15:15–15:30, ZB

Lokale Modifikation von dünnen Ag-Filmen auf Si(100) mit dem Rastertunnelmikroskop — •U. Memmert¹, U. Hodel¹ und U. Hartmann² — ¹Institut für Schicht- und Ionentechnik, KFA Jülich, D-52425 Jülich — ²FR Experimentalphysik, Universität des Saarlandes, D-66041 Saarbrücken

Ein UHV-STM wurde verwendet, um 5 - 100 nm dicke Ag - Filme, die in-situ auf eine Si(100)-Oberfläche aufgedampft wurden, zu modifizieren. Zur Modifikation wurden Tunnelspannungen über 3 - 4 V verwendet und gleichzeitig die STM-Regelelektronik für Perioden von einigen Sekunden bis zu einigen Minuten in eine Regelschwingung versetzt. Eine nachträgliche Abbildung mit dem STM zeigt, daß der Ag-Film lokal modifiziert wurde, indem aus einem Bereich von 200 - 500 nm Durchmesser Ag entfernt wurde und in einem Kegel von 100 - 300 nm Basisdurchmesser und von bis zu 150 nm Höhe konzentriert wurde. Die Daten lassen sich durch ein lokales Schmelzen des Ag-Films mit einer Anziehung des geschmolzenen Volumens durch die Spitze erklären. Bei hohen deponierten Leistungen bzw. längeren Modifikationszeiten kann sowohl lokal Ag verdampft werden als auch, durch die Bildung eines Ag-Si-Eutektikums, das Si-Substrat angegriffen werden. Durch eine laterale Bewegung der Spitze während der Modifikation können auch beliebige laterale Strukturen in den Film geschrieben werden. Die Abhängigkeit der erzeugten Strukturen von Parametern wie Spannung, Strom, Zeit und Filmdicke wird diskutiert.