Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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DS: Dünne Schichten

DS I: HV I

DS I.1: Hauptvortrag

Montag, 17. März 1997, 09:30–10:00, PC 7

Phasenreine und hoch orientierte Diamantschichten für optische, thermische und elektronische Anwendungen — •R. Locher¹, H. Kawarada², C. Wild¹, P. Mangang¹, N. Herres¹ und P. Koidl¹ — ¹Fraunhofer–Institut für Angewandte Festkörperphysik, Freiburg — ²Waseda–Universität, Tokyo (Japan)

Die Phasenreinheit und Kornstruktur von CVD–Diamant ist von entscheidender Bedeutung für eine Vielzahl von Anwendungen. Wir berichten über die Herstellung sehr phasenreiner Diamantwafer, deren optische und thermische Eigenschaften mit (Typ IIa) Naturdiamant vergleichbar sind. Elektronische Anwendungen, insbesondere Detektoren für ionisierende Strahlung und UV–Sensoren werden vorgestellt. Neben der Phasenreinheit hat der strukturelle Ordnungsgrad der Schichten eine wichtige Bedeutung. Unter optimierten Abscheidebedingungen gelingt es mittlerweise, heteroepitaktische Diamantschichten mit hohem Ordnungsgrad abzuscheiden. Wir berichten über die Heteroepitaxie auf β–SiC. Halbwertsbreiten der Orientierungsverteilung < 1 ^∘ wurden realisiert. Die Oberfläche solcher Schichten ist glatt und zeigt keine erkennbaren Korngrenzstrukturen mehr. Das Anwendungspotential dieser hoch geordneten Schichten liegt im elektronischen Bereich.