Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.11: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:00–18:15, H4

Simulation von GaAs Wachstum mit anschließender Ausheilphase unter Berücksichtigung der Oberflächenkinetik von Ga-Atomen und GaAs-Molekülen — •Ch. Heyn, T. Franke und M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr 11, D-20355 Hamburg

Es werden Computer-Simulationen zum homoepitaktischen Wachstum von GaAs und zum anschließenden Ausheilen der Oberfläche durchgeführt. Die zentrale Annahme des Simulations-Modells besteht darin, daß sowohl schnelle Ga-Atome als auch langsame GaAs-Moleküle auf der Oberfläche beweglich sind. In dem Modell wird die Oberflächendiffusion beider Spezies durch thermisch aktivierte, Nächste-Nachbar Platzwechsel auf einem isotropen Substrat charakterisiert. Zur Bestimmung der Modell-Parameter werden simulierte Stufendichten mit gemessenen RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction)-Intensitäten verglichen. Nach Beendigung des Wachstums durch Abschalten der Gallium-Zufuhr reagieren alle beweglichen Ga-Atome sehr schnell zu GaAs-Molekülen, so daß während der Ausheilphase nur noch Diffusion von langsamen Molekülen von Bedeutung ist. Mit diesem Ansatz kann der zeitliche Verlauf der RHEED-Intensität während des Wachstums und der Ausheilphase sowie Messungen des Arsen-Kondensationskoeffizienten quantitativ reproduziert werden.