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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.13: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 18:30–18:45, H4

RHEED-Untersuchungen zu Anisotropien des MBE-Wachstums und Wachstumsunterbrechungen auf der GaAs(100)-Oberfläche — •T. Franke, C. Heyn, and M. Harsdorff — Institut für Angewandte Physik und Zentrum für Mikrostrukturforschung, Universität Hamburg, Jungiusstr.11, D-20355 Hamburg

Es wurde GaAs mittels Molekularstrahlepitaxie (MBE) auf GaAs(100)-Substraten bei Variation der Substrattemperatur abgeschieden. Zur Aufklärung von Anisotropien beim Wachstum und anschließenden Wachstumsunterbrechungen wurde in-situ RHEED (Reflection High Energy Electron Diffraction) im [011]- und im [011]-Azimuth durchgeführt. Letzterer wurde bisher am häufigsten untersucht. Es wurde die RHEED-Spekularstrahlintensität als Indikator für die Stufendichte der Oberfläche herangezogen. Als Maß für die Güte des Wachstums dient die Zeitkonstante der Dämpfung der RHEED-Oszillationsamplitude. Es zeigt sich eine schwächere Dämpfung der Oszillationen in [011]-Richtung als in [011]-Richtung. Zur Beschreibung des Intensitätsverlaufes während einer Wachstumsunterbrechung werden zwei Exponentialterme mit zwei Zeitkonstanten benötigt. Die Zeitkonstanten des schnelleren Prozesses sind bei gleichen Temperaturen entlang der [011]-Richtung etwa um einen Faktor 5 gegenüber der [011]-Richtung erhöht. Weiterhin zeigen sich entlang dieser Richtungen verschiedene Temperaturabhängigkeiten, wodurch sich unterschiedliche Aktivierungsenergien für diese Umlagerungsprozesse ergeben.