Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.14: Talk

Monday, March 17, 1997, 18:45–19:00, H4

Wachstum von (MgZn)(SSe) auf verschieden rekonstruierten GaAs - Oberflächen — •M. Behringer, M. Fehrer, K. Ohkawa und D. Hommel — Universität Bremen, Institut für Festkörperphysik, Kufsteiner Straße, 28359 Bremen

In Bremen hergestellte II-VI Laserdioden besitzen für praktische Anwendungen nach wie vor eine viel zu kurze Lebensdauer. Als Ursache dafür werden Degradationsmechanismen an Kristalldefekten angenommen, wobei insbesondere die Heterogrenzfläche zwischen dem GaAs Substrat und den II-VI Schichten im Mittelpunkt des Interesses steht. Eine weitere Optimierung erfordert die sorgfältige Kontrolle der GaAs Oberfläche bis zum Start des II-VI Schichtwachstums. Hierzu wurden das Ende des GaAs Pufferwachstums, der Transfer und die Behandlung des Substrates vor dem Wachstum der II-VI Schichten untersucht.
Durch das Abkühlen der GaAs Schicht von Wachstums- auf Transfertemperatur entsteht oft eine c(4x4) rekonstruierte Oberfläche. Diese verändert sich beim Aufheizen in der II-VI-Kammer über eine (1x3) zu einer (2x4) rekonstruierten Oberfläche, entsprechend verschiedenen Arsen Bedeckungen. Wir haben das Wachstum von ZnSe und MgZnSSe Schichten auf diesen verschiedenen Startoberflächen untersucht.