Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.15: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 19:00–19:15, H4

Design und Implementierung einer III-V – MOVPE an ein UHV-System — •T. Schmidtling, K. Tempelhoff, M. Pristovsek und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, 10623 Berlin

In-situ Untersuchungen des Wachstumsprozesses in der MOVPE sind wegen der Wachstumsbedingungen (2–100 kPa Reaktordruck) nur mit optischen Methoden wie RAS und Ellipsometrie möglich. Die so gewonnenen Daten sollen durch direkten Transfer der Proben ins UHV mit den dortigen Standardanalysemethoden (LEED, AES und HREELS) korreliert werden.

Durch die Randbedingungen, wie geringe Abmessungen und ein vakuumtaugliches Transfersystem zur Anbindung an die bestehenden UHV-Analysekammern, mußte ein neuer Reaktor konzipiert werden. Die dabei in der Erprobung verwendeten Reaktorgeometrien werden in ihrer Auswirkung auf die Wachstumsmechanismen sowohl in– wie ex-situ untersucht. Es zeigte sich eine deutliche Abhängigkeit der Gasphase von Suszeptormaterial und -Geometrie.

Parallel dazu wurde das Schleusen in das UHV-System im Hinblick auf Kontaminationen optimiert.