Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.2: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 15:45–16:00, H4

In-situ Kompositionsbestimmung ternärer und quaternärer Halbleiter in der MOVPE — •M. W. Klein, M. Zorn, K. Knorr, J.-T. Zettler und W. Richter — Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Sekr. PN 6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin

Für die Herstellung ternärer und quaternärer Halbleiter ist die Kontrolle des Wachstums und der Zusammensetzung mit in-situ Techniken von essentiellem Interesse seitens der MOVPE-Anwender.

Es wurden daher optische Untersuchungen zum Wachstum von Halbleitermaterialien bestehend aus (Al, Ga, In) (As, P) in der MOVPE durchgeführt. Als Untersuchungsmethoden wurden die Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) und die Spektroskopische Ellipsometrie (SE) angewandt, mit dem Ziel der in-situ Kompositionsbestimmung für das gitterangepaßte Wachstum auf GaAs und InP. Problematisch dabei ist die Kompensation der Verspannungs- und Kompositionseffekte bezüglich der Änderungen der energetischen Lagen der kritischen Punkte [1]. Es wird untersucht, wie die Einflüsse der uniaxialen Deformation der wachsenden Schicht zur Bestimmung der Komposition herangezogen werden können.

[1] H. Lee, D. Biswas, M. Klein, H. Morkoc, D. Aspnes, B. Choe, J. Kim, and C. Griffith, J. Appl. Phys. 75, 5040 (1994)