Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 10: Epitaxie

HL 10.7: Vortrag

Montag, 17. März 1997, 17:00–17:15, H4

Nukleation selbst-organisierter Ge-Inseln auf Si(001) — •P. Schittenhelm und G. Abstreiter — Walter Schottky Institut der TU München, Am Coulombwall, D-85748 Garching

Die Ausbildung selbst-organisierter Inseln im Stranski-Krastanow Wachstumsmodus verspannter Heterostrukturen wird von vielen Gruppen als Weg zu niedrigdimensionalen Systemen verfolgt. Die Entstehung von Ge-Inseln auf Si(001) wird stark von der Oberflächendiffusion der Ge-Adatome beeinflußt. Um dies zu untersuchen, wurden die Parameter Wachstumstemperatur und Wachstumsrate über einen größeren Bereich variiert und die Zahl der hierbei entstehenden Ge-Inseln mittels Raster-Kraftmikroskopie analysiert. Für alle untersuchten Wachstumsraten und für Wachstumstemperaturen bis zu 740^∘C ergibt sich eine gute Übereinstimmung zwischen den Vorhersagen der Nukleationstheorie von Venables [1] und den experimentellen Ergebnissen. Für höhere Wachstumstemperaturen wurden Abweichungen beobachtet, die mit der Desorption von Ge-Adatomen von der Oberfläche erklärt werden können.

[1] J. A. Venables, J. Vac. Sci. Technol. B, 4, 870 (1986)