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15:30 |
HL 10.1 |
Hochaufgelöste Röntgenbeugung an Halbleiter-Heterostrukturen bei variabler Meßtemperatur — •H. Heinke, V. Großmann und D. Hommel
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15:45 |
HL 10.2 |
In-situ Kompositionsbestimmung ternärer und quaternärer Halbleiter in der MOVPE — •M. W. Klein, M. Zorn, K. Knorr, J.-T. Zettler und W. Richter
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16:00 |
HL 10.3 |
Photolumineszenz von InAs zur MOMBE-Wachstumsoptimierung — •M. Matt, R. Carius, A. Förster, H. Hardtdegen, C. Ungermanns und H. Lüth
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16:15 |
HL 10.4 |
Si–Adatom auf As–terminierter Si(111)–Oberfläche: Diffusion und Einbau in die As–Schicht — •K. Schroeder, S. Blügel, B. Engels und P. Richard
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16:30 |
HL 10.5 |
Untersuchungen zum Einflu"s des III/V-Flu"sratenverh"altnisses auf die Oberfl"achenkinetik bei der GaAs-Homoepitaxie — •Ch. Heyn, T. Franke, and M. Harsdorff
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16:45 |
HL 10.6 |
Molekularstrahlepitaxie von CuInS2 — •Th. Hahn, H. Metzner, J. H. Bremer, Chr. Schmiga, J. Conrad und M. Seibt
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17:00 |
HL 10.7 |
Nukleation selbst-organisierter Ge-Inseln auf Si(001) — •P. Schittenhelm und G. Abstreiter
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17:15 |
HL 10.8 |
Atomlagengenaues Ätzen in der Molekularstrahlepitaxie — •M. Ritz, T. Kaneko, S. Maier und K. Eberl
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17:30 |
HL 10.9 |
Untersuchung des Facettenwachstums bei selektiver Epitaxie auf= Si(100) — •K. Grimm, L. Vescan, K. Szot und H. Lüth
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17:45 |
HL 10.10 |
Ellipsometrie- und RAS-Messungen mit Paralleldetektoren in der MOVPE — •K. Haberland, D. Fischer, K. Knorr, M. Zorn, T. Trepk, J.-T. Zettler und W. Richter
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18:00 |
HL 10.11 |
Simulation von GaAs Wachstum mit anschließender Ausheilphase unter Berücksichtigung der Oberflächenkinetik von Ga-Atomen und GaAs-Molekülen — •Ch. Heyn, T. Franke und M. Harsdorff
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18:15 |
HL 10.12 |
Diffuse Röntgenstreuung an Misfitversetzungen in Heteroepitaxieschichten — •B. Jenichen, V.M. Kaganer, R. Köhler, M. Schmidbauer und R. Opitz
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18:30 |
HL 10.13 |
RHEED-Untersuchungen zu Anisotropien des MBE-Wachstums und Wachstumsunterbrechungen auf der GaAs(100)-Oberfläche — •T. Franke, C. Heyn, and M. Harsdorff
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18:45 |
HL 10.14 |
Wachstum von (MgZn)(SSe) auf verschieden rekonstruierten GaAs - Oberflächen — •M. Behringer, M. Fehrer, K. Ohkawa und D. Hommel
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19:00 |
HL 10.15 |
Design und Implementierung einer III-V – MOVPE an ein UHV-System — •T. Schmidtling, K. Tempelhoff, M. Pristovsek und W. Richter
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19:15 |
HL 10.16 |
Homoepitaxie von Pyrit (FeS2) mittels MOCVD: Wachstum und Schichteigenschaften — •J. Oertel, K. Ellmer, B. Thomas und C. Höpfner
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