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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.17: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Optische Absorption unter Licht-Bias im Amorphem Silizium — •Thomas Unold¹, Howard Branz² und Gottfried Bauer¹ — ¹Fachbereich Physik, Universität Oldenburg,26111 Oldenburg — ²National Renewable Energy Laboratory, Golden, CO 80401, USA

Die optische Absorption in der Bandlücke von amorphem Silizium unterschiedlicher Dotierung wurde mit Hilfe der Transmissions-CPM (constant photocurrent method) untersucht. Hierbei wurden die Probendicke, der Dotierungsgrad, und die Bias-Beleuchtungsstärke systematisch variiert. Bei undotierten Proben läßt sich durch das Bias-Licht der Absorptionskoeffizient spektral stark beeinflussen. Bei dotierten Proben wird jedoch keine Änderung des Absorptionskoeffizienten durch die Bias Beleuchtung festgestellt. Konsequenzen für Modelle der Rekombination im amorphen Silizium, insbesondere für die Größe der Einfangquerschnitte lokalisierter Zustände werden diskutiert.