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Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.18: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Optische Bauelemente in lumineszierenden aSi1−x Cx : H (O,N) Dünfilmwellenleitern — •J. Niemann, J. Seekamp, D. Rüter und W. Bauhofer — AB Materialien der Mikroelektronik, TU Hamburg–Harburg, Martin–Leuschel–Ring 16, D–21071 Hamburg

Aus den flüssigen Organosilanen Hexamethyldisilazan (HMDSN), Hexamethyldisiloxan (HMDSO), Tetramethylsilan (TMS) und Tetra -
methoxysilan (TMOS) wurden von uns in einem 40 kHz PECVD–Reaktor kohlenstoffreiche aSi1−x Cx : H (O,N)–Filme abgeschieden. Aus diesen
Dünnfilmen konnten verschiedene optische Bauelemente dargestellt werden: PIN–Fotodioden, Filmwellenleiter bzw. Linsen. Effektive Lichtleitung konnte z. B. an einer Halbkreisstruktur demonstriert werden.
Außerdem wurden in einem konventionellen 13,56 Mhz PECVD–Reaktor aSi1−x Cx : H (O,N)–Filme (d ≃ 1 µm) abgeschieden. Alle unsere amorphen Schichten zeigen eine ausgeprägte UV–angeregte Photolumineszenz (PL) im sichtbaren Spektralbereich. Diese PL zusammen mit einer ausreichenden Absorption im UV qualifizieren unsere Schichten für den Einsatz als integrierte UV–Detektoren auf Si–Substraten [1].
Die optischen Eigenschaften von Schichten aus beiden Reaktortypen werden verglichen.

[1] D. Rüter, S. Rolf, W. Bauhofer, Appl. Phys. Lett., 67(2), 1, 1995

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