Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.24: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Optische Untersuchungen an dotiertem MOVPE- und MBE-ZnSe — •H. Hamadeh, H. Kalisch, M. Lünenbürger, W. Taudt, J. Müller, A. Hardt und M. Heuken — Institut für Halbleitertechnik, RWTH-Aachen, Templergraben 55, D-52056 Aachen

Stickstoff- und chlordotierte ZnSe-Schichten, die sowohl mit metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) als auch mit Molekularstrahlepitaxie (MBE) hergestellt worden sind, wurden mit Photolumineszenz- (PL) und Photolumineszenzanregungsspektroskopie (PLE) untersucht. Die Lumineszenzspektren der MOVPE- und MBE-Schichten zeigen Donator-Akzeptor-Paar- (DAP) Lumineszenz sowie I₂-, I₁- und FE-Emissionen im Bandkantenbereich. Die PLE-Spektren der DAP-Übergänge der MOVPE-Proben zeigten sowohl bei der Bandlücke (Band-Band-Übergänge) als auch bei den gebundenen Exzitonen eine erhöhte Intensität, während bei den MBE-Proben die wesentliche Anregung bei den freien Exzitonen stattfindet. Die PLE-Spektren, die an der I₂-Linie gemessen worden sind, zeigten bei undotierten und stickstoffdotierten MOVPE-Proben Anregung über Phononkaskaden, währen bei den chlordotierten MOVPE- und MBE-Proben diese Phononkaskaden nicht beobachtet werden. Der Einfluß der Dotierstoffkonzentration auf die DAP-Anregungsspektren wird diskutiert.