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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.25: Poster
Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z
Photoemissionsuntersuchungen an heteroepitaktischen Hg(Cd)Te/CdTe(100) Schichten — •D. Eich1, Z. Chen1, C. Heske1, S. Oehling2, C.R. Becker2, R. Fink1 und E. Umbach1 — 1Experimentelle Physik II, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg — 2Experimentelle Physik III, Universität Würzburg, Am Hubland, 97074 Würzburg
HgTe/CdTe Übergitter besitzen eine besondere Bedeutung aufgrund ihrer industriellen Anwendung als Infrarotdetektoren. Wir berichten über Photoemissions- und Inverse Photoemissionsexperimente an heteroepitaktischen HgTe Schichten, die auf kommerziellen CdTe(100) Einkristallen gewachsen wurden. Die CdTe Substrate wurden durch Sputter-Heiz-Zyklen präpariert. Die Beugung langsamer Elektronen (LEED) zeigt hohe strukturelle Ordnung der CdTe und HgTe Oberflächen. Winkelaufgelöste Messungen des Valenzbandbereichs ergeben Intensitätsveränderungen der Valenzbandstrukturen und Dispersion. Durch hochaufgelöste PES-Messungen unter Variation der Photonenenergie (HeI, HeII, Mg Kα) sowie bei großen Emissionswinkeln bzgl. der Probennormalen, konnte übereinstimmend eine zweite, oberflächennahe Hg-Spezies identifiziert werden. Diese Ergebnisse werden in Hinblick auf die Bestimmung der Banddiskontinuitäten von Halbleiter-Heterostrukturen diskutiert. (Geför- dert durch die DFG im Rahmen des SFB 410)