Münster 1997 – scientific programme

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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.26: Poster

Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z

Bestrahlungsinduzierte Defektstruktur in II-VI Halbleitern — •A.G. Balogh¹, W. Puff², H. Baumann³ und F. Dworschak⁴ — ¹FG Dünne Schichten, FB Materialwissenschaft, Technische Hochschule Darmstadt, Petersenstr. 23, 64287 Darmstadt — ²Institut für Technische Physik, Technische Universität Graz — ³Institut für Kernphysik, J.W.Goethe Universität Frankfurt — ⁴Institut für Festkörperforschung, Forschungszentrum Jülich

II-VI Halbleiter mit Bandlücken zwischen 3-4 eV sind wichtige Materialien für optoelektronische Anwendungen. Die optische und elektrische Eigenschaften dieser Halbleiter sind von der Defektstruktur wesentlich beeinflußt. Die Untersuchung und Identifizierung dieser Defekte ist deshalb von großer Wichtigkeit bei der Herstellung von optoelektronischen Geräten. ZnO und ZnS Proben wurden mit Protonen und Elektronen bestrahlt. Anschließend wurde die erzeugte Defektstruktur mit der Methode der Positronenzerstrahlung (PAS) untersucht. Die temperaturabhängig durchgeführte Lebensdauer und Doppler Messungen zeigen die materialspezifische Ausheilstufen der verschiedenen Leerstellenagglomeraten.