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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.28: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
β -NMR Messungen an 12B in CdTe — •W.-D. Zeitz1, E. Oldekop1, V. Eyert1, S. Hermann1, F. Niedermeyer1 und M. Wienecke2 — 1Hahn-Meitner-Institut, Glienicker Straße 100, D-14109 Berlin — 2Fachbereich Physik, Humboldt Universität, Invalidenstr. 110, D-10115 Berlin
Mit Hilfe der auf diamagnetische Sonden empfindlichen β -NMR-Methode
untersuchen wir die Implantation und das Ausheilverhalten von Bor in CdTe
bei sehr kleinen Borkonzentrationen ( 108 cm−3 ).
Den Messungen zufolge wird bei Raumtemperatur ein Anteil von etwa 20% des
Bors substitutionell eingebaut. Dieser Anteil wächst mit steigender
Implantationstemperatur und erreicht etwa 45% bei 600K. Die experimentellen
Daten legen nahe, daß das Ausheilverhalten des substitutionell eingebauten
Bors elektronischer Natur ist und durch die Umwandlung von paramagnetischem
in diamagnetisches Bor beim Einbau in den Halbleiter bestimmt wird.
Parallel dazu durchgeführte ASW-Bandstrukturrechnungen auf der Grundlage
der Dichtefunktionaltheorie erlauben es, den Einbau von Bor im Te- bzw.
Cd-Gitter näher zu untersuchen. Demzufolge besetzt Bor den substitutionellen
Te-Platz und verhält sich dabei wie ein Akzeptor.