Münster 1997 – scientific programme
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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.31: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Dotierungsabhängige Diffusion des Cd in ZnCdSe/ZnSe-Übergittern — •M. Kuttler1, M. Strassburg1, U.W. Pohl1, D. Bimberg1, E. Kurtz2, G. Landwehr2 und D. Hommel3 — 1Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin — 2Experimentelle Physik III, Universität Würzburg — 3Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen
Die Diffusion der Komponenten von Verbindungshalbleitern zeigt eine starke Abhängigkeit von Eigenfehlstellen oder Dotierungen. Bei ZnCdSe/ZnSe-Übergittern sind insbesondere die Auswirkung üblicher Dotierungen (Cl,N) auf das diffusive Verhalten des Cd bislang unbekannt. Untersuchungen mittels Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) zeigen, daß der Diffusionskoeffizient des Cd in ZnCdSe/ZnSe-Übergittern im Temperaturbereich 300 - 550oC extrem von der Hintergrunddotierung abhängt. Während in Chlor-dotierten Strukturen keine Diffusionserhöhung des Cd gegenüber undotierten Strukturen zu verzeichnen ist, führt eine Stickstoffdotierung zu einer starken Diffusionserhöhung des Cd. Im N-dotierten Material wird der Diffusionskoeffizient des Cd um über 4 Größenordnungen erhöht. Implantationsexperimente belegen, daß die diffusionserhöhende Wirkung der N-Dotierung auf die p-Leitung zurückzuführen ist.