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HL: Halbleiterphysik
HL 11: Poster I
HL 11.47: Poster
Monday, March 17, 1997, 15:30–18:30, Z
Thermische Stabililität von BeTe/ZnSe-Heterostrukturen — •M. Strassburg1, M. Kuttler1, U.W. Pohl1, D. Bimberg1, H.J. Lugauer2, A. Waag2 und G. Landwehr2 — 1Institut für Festkörperphysik, TU-Berlin — 2Experimentelle Physik III, Universität Würzburg
Be-haltige II-VI-Verbindungshalbleiter werden derzeit intensiv studiert, um blaugrüne II-VI-Halbleiterlaser mit geringerer Degradation herzustellen. Über die thermische Stabilität Be-haltiger II-VI-Schichtsysteme existieren bislang keine Informationen. Mittels Sekundärionenmassenspektroskopie (SIMS) erfolgten erste Untersuchungen zur Diffusion des Be in BeTe/ZnSe-Übergittern und Quantum Wells unter verschiedenen Temperbedingungen (Zn-, H2-Atmosphäre, Si3N4-Cap). Die SIMS-Messungen der unbehandelten Proben zeigen eine Akkumulation von Be und Zn an den Heterostruktur-Grenzflächen. Insbesondere an den Zn-terminierten Grenzflächen kommt es zu starken Be-Anreicherungen. Nach Temperaturbehandlungen im Temperaturbereich 420oC - 500oC beginnt Be zu diffundieren. Derzeitige Ergebnisse lassen darauf schließen, daß je nach Temperbehandlung Diffusion der Gruppe-II-Elemente über Zwischengitterplätze oder über Gitterplätze induziert wird.