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HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.53: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Untersuchungen an tiefen Störstellen in ZnSe auf GaAs mittels DLTS und DLOS — •G. Prösch¹, K. Hellig¹, A. Schneider¹, R. Beyer¹, M. Behringer², M. Fehrer², D. Hommel² und D. R. T. Zahn¹ — ¹Institut für Physik, Professur für Halbleiterphysik, Technische Universität Chemnitz, D-09107 Chemnitz — ²Institut für Festkörperphysik, Universität Bremen, D-28359 Bremen

ZnSe-Schichten wurden mittels MBE auf GaAs abgeschieden, im Stickstoffplasma dotiert und mit Au-Kontakten versehen. Die effektive Dotierungskonzentration wurde durch HF-CV-Messungen bestimmt. Deep Level Transient Spectroscopy (DLTS) und lasergestützte Deep Level Optical Spectroscopy (DLOS) wurden zur Untersuchung tiefer Störstellen angewandt. Insbesonders wurde der Zusammenhang zwischen der Plasmadotierung und tiefen Störstellen untersucht. Gezielte Konstantstrominjektion bei variabler Stromstärke diente der Aufklärung von Degradationseffekten (Störstellengeneration) im ZnSe.