Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.54: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

Effekt konkurrierender Spaltebenen auf die Oberfl"achenmorphologie von hexagonalen II-VI-Verbindungshalbleitern — •B. Siemens, C. Domke, Ph. Ebert, and K. Urban — Institut f"ur Festk"orperforschung, Forschungszentrum J"ulich GmbH, D-52425 J"ulich

Es wurde die Morphologie von in-situ im Ultrahochvakuum hergestellten nicht-polaren (1010)- und (1120)-Spaltebenen von dem II-VI-Verbindungshalbleiter CdSe mit dem Rastertunnelmikroskop untersucht. Auf beiden Oberfl"achen wird eine sehr hohe Stufendichte im Vergleich zu (110)-Spaltoberfl"achen von Verbindungshalbleitern, die in der ZnS-Struktur vorliegen, festgestellt. Alle Stufen verlaufen parallel zur [0001]-Richtung. Es zeigte sich au"serdem, da"s diese Stufen ungeladen sind. Eine detaillierte Analyse atomar aufgel"oster Rastertunnelmikrokop-Bilder ergab, da"s die Stufen auf der (1120)-Oberfl"ache (1010)-Facetten ausbilden. Umgekehrt haben Stufen auf der (1010)-Oberfl"ache (1120)-Facetten. Diese Oberfl"achenmorphologie kann dadurch erkl"art werden, da"s die Ri"sfront w"ahrend der Spaltung in zwei konkurrierenden nicht-polaren Spaltebenen (Wurtzit-Struktur) verl"auft. Die beiden Spaltebenen schlie"sen einen Winkel von 30^∘ ein. Verbindungshalbleiter, die in der ZnS-Struktur kristallisieren, haben nur eine Spaltebene und deshalb wird eine geringe Stufendichte, mit zuf"alligen Stufenrichtungen, beobachtet.