Münster 1997 – wissenschaftliches Programm

Bereiche | Tage | Auswahl | Suche | Downloads | Hilfe

HL: Halbleiterphysik

HL 11: Poster I

HL 11.60: Poster

Montag, 17. März 1997, 15:30–18:30, Z

In-situ Untersuchungen des Wachstums von ZnSe auf GaAs(001) mit spektroskopische Ellipsometrie und RAS — •U. Rossow, J. Weise, Th. Wethkamp, K. Wilmers, U.W. Pohl, R. Giebler, Th. Werninghaus, and W. Richter — TU Berlin, Inst. f. Festkörperphysik, PN6-1, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin;
Email: urossow@aol.com

Wir berichten über optische Untersuchungen während des Wachstums von ZnSe auf GaAs(001) mit MBE. Die Schichten werden bei 300^oC auf homoepitaktisch überwachsenem GaAs aufgewachsen. Die Dicke, Kristallinität und Morphologie der Schichten werden mit spektroskopischer Ellipsometrie und Reflexions-Anisotropie-Spektroskopie (RAS) bestimmt. Zusätzlich kann mit RAS die Oberfächenzusammensetzung insbesondere des Substrates bestimmt werden, wobei hier in der Regel arsenreiche Oberflächen präpariert werden. Die Schichten werden schrittweise aufgedampft. Während des Aufdampfens werden Transienten bei einer festen Photonenergie aufgenommen und in den Wachstumspausen Spektren. Letztere zeigen bereits bei Dicken von wenigen nm Strukturen an den E₀, E₀+Δ₀, E₁ und E₁+Δ₁ interbandkritischen Punkten von Volumen-ZnSe. Der Wachstumsmodus von ZnSe ist nahezu 2d-artig. Bei größeren Schichtdicken wird eine zunehmende Rauhigkeit beobachtet. Eine quantitative Analyse der Daten ist schwierig, da die Schichten keilförmig aufwachsen, wobei die Schichtdickenvariation über den Fokus hier von ca. 3x5mm² zu 20% abgeschätzt werden kann.